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RTS-9型雙電測(cè)四探針?shù)囯姌O片電阻測(cè)試儀是一款可以測(cè)量鋰電池極片電阻率的儀器。采用了四探針雙電測(cè)組合（亦稱雙位組合）測(cè)量新技術(shù)利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

RTS-8四探針電阻率測(cè)試儀器是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。 儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

FT/HP系列四探針測(cè)試儀探頭 采用綜合性能優(yōu)異的航空工程塑料、機(jī)械結(jié)構(gòu)優(yōu)良彈huang片、耐磨和硬度高的探針研制的測(cè)量數(shù)據(jù)穩(wěn)定、可靠、準(zhǔn)確度高、耐用性能好四探針探頭。所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)符合ASTM標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)規(guī)定； 可安裝于探針測(cè)試臺(tái)也可手持探頭對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試，如對(duì)樣品手持探頭測(cè)試可搭配PH-Ⅱ型把手有效提高測(cè)試效率,此測(cè)試方式廣泛應(yīng)用于硅多晶料、頭尾料、鍋底料的電阻率分揀；

手動(dòng)電動(dòng)四探針測(cè)試儀測(cè)試臺(tái) S-2A型四探針測(cè)試臺(tái) 專為實(shí)驗(yàn)室使用而制作的。該測(cè)試臺(tái)設(shè)計(jì)別致、操作簡(jiǎn)易、重量輕、并有微調(diào)手輪，便于探針與樣品的精確接觸。 載物臺(tái)：方盤(pán)140mm*150mm,帶刻度線，便于準(zhǔn)確定位。 有效行程：40mm、重量：2kg 粗調(diào)手輪：20mm/圈、微調(diào)手輪：0.2mm/圈。

RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。 儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

SB100A/21A四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是SB100A/21（及SB100A/3）的升級(jí)版，其為用戶提供了使用SB100A/3進(jìn)行四探針測(cè)試及實(shí)驗(yàn)的配套軟件，可運(yùn)行于PC機(jī)上，能兼容運(yùn)行在Winxp和Win7系統(tǒng)中，用于自動(dòng)獲取實(shí)驗(yàn)臺(tái)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并根據(jù)條件生成曲線和報(bào)表，輔助實(shí)驗(yàn)人員自動(dòng)完成實(shí)驗(yàn)，直觀的分析數(shù)據(jù)，獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)論，保存實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-5—106Ω。

SB100A/20A四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是SB100A/20（及SB100A/2）的升級(jí)版，其為用戶提供了使用SB100A/20進(jìn)行四探針測(cè)試及實(shí)驗(yàn)的配套軟件，可運(yùn)行于PC機(jī)上，能兼容運(yùn)行在Winxp和Win7系統(tǒng)中，用于自動(dòng)獲取實(shí)驗(yàn)臺(tái)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并根據(jù)條件生成曲線和報(bào)表，輔助實(shí)驗(yàn)人員自動(dòng)完成實(shí)驗(yàn)，直觀的分析數(shù)據(jù)，獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)論，保存實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀 在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是極為重要的工藝過(guò)程監(jiān)控測(cè)試手段，通過(guò)C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)過(guò)程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。

CV-2000型電容電壓特性測(cè)試儀 作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。

LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀 是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。